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MT40A512M8RH-083E:B 发布时间 时间:2025/5/26 21:53:58 查看 阅读:6

MT40A512M8RH-083E:B 是一款高性能的 DDR4 SDRAM 内存芯片,专为需要高带宽和低功耗的应用设计。该型号属于 Micron(美光)推出的 MT40 系列,支持 JEDEC 标准,适用于服务器、网络设备、存储系统和其他高端计算平台。
  这款芯片采用先进的制造工艺,具备出色的可靠性和稳定性,能够满足严苛的工作环境要求。

参数

容量:512Mb
  数据宽度:x8
  电压:1.2V
  速度:2666MT/s
  封装类型:FBGA
  引脚数:78
  工作温度:-40°C 至 +125°C
  JEDEC 标准:DDR4

特性

MT40A512M8RH-083E:B 的主要特性包括:
  1. 支持高达 2666MT/s 的传输速率,提供卓越的数据吞吐能力。
  2. 具备低功耗模式,有助于减少整体系统的能耗。
  3. 集成了内部 DLL 和 ODT 功能,优化信号完整性和多负载环境下的性能。
  4. 支持单端和差分时钟输入,确保精确的时序控制。
  5. 提供多种省电模式,例如深度电源降级(DPD)和自动刷新功能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

MT40A512M8RH-083E:B 广泛应用于以下领域:
  1. 服务器和工作站内存模块。
  2. 高性能计算(HPC)系统。
  3. 网络通信设备,如路由器和交换机。
  4. 存储控制器和 RAID 系统。
  5. 嵌入式计算平台和工业自动化设备。
  该芯片因其高可靠性和高效能表现,在需要快速数据处理和大容量存储的场景中表现出色。

替代型号

MT40A512M8RZ-083E:B, MT40A512M8RH-083:B

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MT40A512M8RH-083E:B参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR4
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织512M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.2 GHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-FBGA(9x10.5)