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MT40A2G8JC062EEDP 发布时间 时间:2025/9/13 3:36:02 查看 阅读:29

MT40A2G8JC062EEDP 是由 Micron(美光)公司生产的一款高性能 DDR4 SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片。该型号设计用于满足高带宽、低功耗和高可靠性的需求,广泛适用于服务器、工作站以及高端计算设备。该芯片采用 16 位宽的数据总线,支持高密度存储,并且基于先进的 DRAM 技术实现卓越的性能和能效。

参数

容量:2GB
  组织结构:x16
  电压:1.2V
  时钟频率:3200MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:Die in Package (DIP)
  数据总线宽度:x16
  CAS 延迟(CL):18
  数据传输率:3200MT/s
  内部 Bank 数量:8
  刷新周期:64ms
  

特性

MT40A2G8JC062EEDP 提供多项先进特性,包括高带宽和低功耗设计,使其非常适合用于高性能计算系统。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,可在不丢失数据的情况下降低功耗。其 3200MT/s 的数据传输率确保了系统在高负载下仍能保持出色的响应能力。此外,该芯片支持温度传感器功能,能够在高温环境下自动调整工作状态,以确保稳定性和可靠性。
  MT40A2G8JC062EEDP 还具备强大的错误检测和纠正能力,支持片上 ECC(错误校正码)功能,有助于提升系统的数据完整性和可靠性。其采用的 1.2V 工作电压相比传统的 1.5V DDR3 芯片显著降低了功耗,符合现代绿色节能的设计理念。此外,该芯片的封装形式为 Die in Package (DIP),适用于嵌入式系统和高密度内存模块设计。

应用

MT40A2G8JC062EEDP 广泛应用于需要高性能内存支持的设备和系统中,包括服务器、数据中心、高端个人计算机、图形工作站、网络设备以及工业控制设备等。其高带宽和低功耗特性使其特别适用于需要持续数据处理和多任务并行运算的应用场景,例如人工智能训练、数据库处理、虚拟化环境和高性能计算集群等。此外,该芯片的可靠性和稳定性也使其成为嵌入式系统和工业自动化设备中的理想选择。

替代型号

MT40A2G8JB062EEDQ, MT40A2G8JC062EESN, MT48A2G8SA2B4-3A

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