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MT40A256M16GE-083E:B 发布时间 时间:2025/5/15 13:13:53 查看 阅读:8

MT40A256M16GE-083E:B 是由 Micron Technology 生产的一款 DDR4 内存颗粒芯片,广泛应用于计算机、服务器以及其他需要高性能内存的设备中。该型号属于高密度存储芯片,具有低功耗和高速数据传输的特点,符合 JEDEC 标准规范。

参数

容量:256Mb
  组织方式:16Mx16
  接口类型:DDR4
  工作电压:1.2V
  速度等级:2666Mbps
  封装形式:FBGA 78-ball
  工作温度:-40°C 至 +125°C
  数据宽度:16位

特性

MT40A256M16GE-083E:B 是一款高度集成化的 DDR4 SDRAM 芯片,支持自动刷新和电源管理功能,能够在多种应用场景下实现高效运行。
  其采用 FBGA 封装技术,具备小型化和高可靠性的特点,适合对空间要求严格的现代电子设备。
  此外,它还支持突发长度为 4 和 8 的数据传输模式,可灵活应对不同应用需求。
  由于采用了先进的制程工艺,这款芯片在能耗方面表现优异,非常适合需要长时间运行的系统。
  其高达 2666Mbps 的传输速率确保了数据处理的快速性和稳定性,适用于高端计算领域。

应用

MT40A256M16GE-083E:B 主要应用于台式电脑、笔记本电脑、服务器以及网络设备等需要高性能内存支持的场景。
  在消费电子领域,该芯片也常见于智能电视、游戏主机和其他多媒体设备中。
  同时,由于其出色的稳定性和可靠性,该型号还被广泛用于工业控制、医疗设备和通信基础设施等领域。

替代型号

MT40A256M16GE-083I:B
MT40A256M16GE-043E:B

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MT40A256M16GE-083E:B参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR4
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.2 GHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-FBGA(9x14)