MT31N102J500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于功率转换、开关电源、电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效降低系统功耗并提升效率。
该型号属于现代 MOSFET 技术的代表之一,其设计旨在满足工业和消费电子领域对高效功率管理的需求。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:50A
导通电阻:2mΩ
栅极电荷:80nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MT31N102J500CT 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
3. 快速开关性能,适合高频操作环境。
4. 出色的热稳定性和可靠性,适应极端工作条件。
5. 小封装尺寸,便于 PCB 布局优化。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 的低 Rds(on) 和高电流处理能力使其非常适合需要高效功率转换的应用场景。
MT31N102J500CT 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 设计中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的逆变器和控制器。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 通信电源和服务器电源模块。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS)。
6. LED 驱动器和高效照明解决方案。
由于其出色的电气特性和可靠性,该器件成为许多高要求应用的理想选择。
MT31N102J300CT, IRF3205, FDP17N10