MT31B105K500CT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效电能转换和控制的场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度等特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):0.5Ω
总功耗(Ptot):150W
结温范围(Tj):-55°C to 150°C
封装形式:TO-247
MT31B具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗。
2. 高耐压能力(500V),适用于高压应用场景。
3. 快速开关速度,减少开关损耗并提高系统效率。
4. 内置ESD保护功能,提升芯片的可靠性。
5. 支持大电流操作(高达10A),满足多种负载需求。
6. 宽温度范围工作能力(-55°C至150°C),适应恶劣环境条件。
7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这款功率MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
3. 不间断电源(UPS)和太阳能逆变器的核心功率器件。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 电动车充电器和其他高功率电子设备中的关键组件。
IRF540N
STP10NK50Z
FQP18N50C