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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F 发布时间 时间:2025/5/9 8:58:57 查看 阅读:1

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F 是一款由 Micron(镁光)生产的 NAND 闪存芯片,采用多层单元 (MLC) 技术。该器件支持高速数据传输,广泛应用于固态硬盘 (SSD)、嵌入式存储设备和工业控制等领域。
  这款芯片具有高可靠性、低功耗以及大容量的特点,能够满足现代电子设备对高性能存储的需求。

参数

存储容量:512GB
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V
  数据传输速率:最高可达400MT/s
  封装形式:BGA
  I/O引脚数:84
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  擦写寿命:3000次(典型值)

特性

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F 具备以下显著特点:
  1. 大容量存储:单颗芯片提供高达512GB的存储空间,适合需要高密度存储的应用场景。
  2. 高速接口:采用 Toggle Mode 2.0 接口协议,确保了更快的数据读写速度。
  3. 低功耗设计:在待机和活动模式下均表现出较低的功耗水平,延长电池供电设备的续航时间。
  4. 稳定性与耐用性:经过严格测试,具备良好的抗干扰能力和长寿命的擦写周期。
  5. 广泛的工作温度范围:能够在极端环境下可靠运行,适用于工业级和消费级产品。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 固态硬盘 (SSD):
   提供快速存储解决方案,用于台式电脑、笔记本电脑等。
  2. 嵌入式系统:
   包括路由器、网络交换机、智能家居控制器等。
  3. 工业控制:
   在工厂自动化、医疗设备和监控系统中实现高效的数据记录功能。
  4. 消费电子产品:
   例如平板电脑、智能电视和其他多媒体设备。

替代型号

MT29F4G08ABAEAWP-12E, MT29RZ4B2DZSHTTWD-18I.84F

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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失性,易失性
  • 存储器格式FLASH,RAM
  • 技术FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
  • 存储容量4Gb(NAND),2Gb(LPDDR2)
  • 存储器组织128M x 32(NAND),64M x 32(LPDDR2)
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.8V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳162-VFBGA
  • 供应商器件封装162-VFBGA(10.5x8)