型号：MT29F4G08ABCHC:C
　　制造商：Micron
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：4 Gb (512 MB)
　　组织结构：528 字节/页，32,768 页，8 个块平面
　　工艺技术：未知（推测为32nm或更早工艺）
　　接口类型：并行接口（8位I/O）
　　供电电压：2.7 V ~ 3.6 V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：48-pin TSOP I
　　编程时间：典型值约200μs/页
　　擦除时间：典型值约2ms/块
　　ECC支持：支持片外ECC，建议使用强ECC算法
　　写保护功能：支持硬件写保护（WP#引脚）
　　待机电流：典型值小于15μA
　　读取电流：典型值约25mA
　　编程电流：典型值约20mA

MT29F4G08ABCHC:C具备多个关键特性，使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先，其8-plane架构允许在同一时间内对多个平面执行读、写或擦除操作，显著提升了整体吞吐量。例如，可以在一个平面进行编程的同时，在另一个平面执行读取操作，从而实现真正的多任务并发处理，这对于需要持续数据流的应用如固件更新或日志记录非常有利。
　　其次，该芯片支持CLE（Command Latch Enable）和ALE（Address Latch Enable）信号，用于区分总线上传输的是命令还是地址信息，这种地址/数据复用机制减少了引脚数量，降低了PCB布线复杂度，同时保持了较高的访问速度。此外，Ready/Busy（R/B#）引脚提供了外部控制器对内部操作状态的实时监控能力，使系统能够高效调度资源，避免轮询带来的延迟和功耗浪费。
　　再者，MT29F4G08ABCHC:C内置了坏块管理机制，在出厂时已标记初始坏块，并通过特定的扫描方式供用户识别。这有助于提高系统的长期可靠性，防止数据写入到不可靠区域。同时，该器件支持块擦除操作，最小擦除单位为一个块（64页），符合NAND Flash的基本操作特性。为了保障数据安全，芯片还集成了写保护功能，当WP#引脚拉低时，可防止意外的写入或擦除操作，特别适用于关键配置数据的保护场景。
　　最后，该器件兼容JEDEC标准的ONFI 1.0规范（尽管未明确标注ONFI），保证了与其他控制器的良好互操作性。虽然没有内置ECC引擎，但其设计要求外部控制器必须具备ECC能力，通常推荐使用至少4位/528字节的纠错能力，以应对NAND Flash随使用时间增长而可能出现的位翻转问题。这一设计将纠错逻辑交给更强大的主控处理器处理，提升了灵活性和系统级优化空间。

MT29F4G08ABCHC:C广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中。在消费类电子产品方面，它常被用于机顶盒、DVD播放器、智能电视等设备中存储操作系统、应用程序代码和用户设置数据。由于其较大的存储容量和相对较低的成本，非常适合替代传统的NOR Flash，在不牺牲性能的前提下大幅降低存储成本。
　　在工业控制领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端、数据采集模块等设备中，用于保存运行日志、配置参数和固件程序。其宽温工作范围确保了在恶劣工业环境下的稳定运行，而写保护功能则增强了关键数据的安全性。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机和IP摄像头，MT29F4G08ABCHC:C可用于存储启动代码、网络协议栈和视频缓存数据。特别是在早期的IP摄像机中，该芯片常作为本地视频录制的存储介质，配合H.264编码芯片实现循环录像功能。
　　此外，在汽车电子系统中，该器件也用于车载信息娱乐系统（IVI）、导航仪和行车记录仪中，存储地图数据、音频文件和系统软件。虽然当前高端车型更多采用eMMC或UFS，但在中低端市场或老款车型中，此类并行NAND仍具竞争力。
　　由于其成熟的供应链和技术支持，MT29F4G08ABCHC:C也被广泛用于各种开发板和原型设计项目中，帮助工程师快速验证系统架构和存储方案。尽管面临来自SPI NAND和eMMC的竞争，但在已有设计中，该芯片凭借其稳定性和兼容性仍占据重要地位。

MT29F4G08ABDHCB:G
　　MT29F4G08ABBDA:G
　　MT29F4G08ABDHA:H9