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MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 发布时间 时间:2025/5/7 15:19:56 查看 阅读:14

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 是一款由 Micron(镁光)生产的 NAND 闪存芯片,主要用于数据存储和嵌入式应用。该系列的 NAND 闪存具有高密度、低功耗和高性能的特点,广泛应用于消费电子、工业设备和通信领域。
  这款芯片采用 MLC(多层单元)技术,支持 3.3V 供电,并提供大容量的数据存储能力。其设计非常适合需要高可靠性与快速读写速度的应用场景。

参数

容量:4GB
  接口类型:ONFI 2.2
  电压:3.3V
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保存时间:10 年
  擦写寿命:3000 次

特性

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 提供了卓越的性能和稳定性,主要特性如下:
  1. 高密度存储:通过先进的制程工艺实现 4GB 的存储容量。
  2. 快速接口:支持 ONFI 2.2 接口标准,确保高速数据传输。
  3. 多层单元技术:使用 MLC 技术以提高单位面积的存储效率。
  4. 节能设计:优化功耗管理,在活动和待机模式下均表现出较低的电流消耗。
  5. 广泛的工作温度范围:适合各种环境下的运行需求,包括工业和户外应用场景。
  6. 可靠性保障:具备长达 10 年的数据保存能力和较高的擦写寿命,满足长时间使用要求。

应用

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E 因其大容量、低功耗和高可靠性的特点,适用于多种场合:
  1. 嵌入式系统:如路由器、交换机和其他网络设备。
  2. 消费类电子产品:例如平板电脑、智能电视及便携式多媒体播放器。
  3. 工业控制设备:如可编程逻辑控制器 (PLC) 和数据采集系统。
  4. 汽车电子:导航系统、信息娱乐系统等。
  5. 存储卡与 USB 闪存盘:作为主要的存储介质。

替代型号

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MT29F4G08ABBEAH4-IT:E参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存 - NAND
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织512M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-VFBGA
  • 供应商器件封装63-VFBGA(9x11)