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MT29F32G08CBADBWP-12IT:D 发布时间 时间:2025/5/8 17:18:42 查看 阅读:33

MT29F32G08CBADBWP-12IT:D 是一款由 Micron(美光)制造的 NAND 闪存芯片,采用 32Gb(4GB)存储容量和 8位数据宽度设计。该器件基于先进的 NAND 技术,支持高速数据传输和可靠的存储功能,广泛应用于嵌入式系统、消费类电子设备以及工业领域。
  此型号使用 1.8V 电源供电,并提供小型化的 BGA 封装形式,具有较低功耗和高性能的特点。

参数

容量:32Gb (4GB)
  数据宽度:8 位
  接口类型:NAND Flash
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA
  引脚数:124
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  擦写寿命:约 3,000 次(具体取决于实际操作条件)
  数据保留时间:大于 10 年

特性

MT29F32G08CBADBWP-12IT:D 提供高密度的存储解决方案,适合需要大容量存储的应用场景。其主要特性包括:
  1. 高性能:支持快速读写操作,能够满足实时数据处理需求。
  2. 可靠性:采用先进的纠错码(ECC)技术,确保数据完整性。
  3. 小型化设计:通过紧凑的 BGA 封装减少 PCB 空间占用。
  4. 低功耗:优化的电路设计使得芯片在待机和活动模式下的功耗都很低。
  5. 宽温支持:适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。

应用

该芯片通常用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如路由器、交换机和其他网络设备。
  2. 工业控制:例如 PLC 和人机界面设备。
  3. 消费类电子产品:如数字电视、机顶盒及便携式媒体播放器。
  4. 物联网设备:为智能硬件提供可靠的存储支持。

替代型号

MT29F32G08CBBDBWP-12IT:D
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MT29F32G08CBADBWP-12IT:D参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存 - NAND
  • 存储容量32Gb
  • 存储器组织4G x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率83 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP I