制造商：Micron Technology
　　系列：MT29F
　　存储容量：32 Gb（4 GB）
　　存储器类型：MLC NAND Flash
　　电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
　　接口类型：并行接口（ONFI 2.1 兼容）
　　时钟频率：100 MHz
　　读取延迟时间：10 ns
　　页大小：8 KB + 896 字节（用户数据 + 备用区）
　　块大小：128 页/块
　　每片编程时间：约 1.3 ms（典型值）
　　擦除时间：约 5 ms（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：BGA-63（8x10mm）
　　引脚数：63
　　技术工艺：20nm 工艺节点
　　支持命令集：ONFI 2.1 标准命令集
　　坏块保证：出厂时已标记坏块，符合 Micron 质量标准

MT29F32G08AECCBH1-10:C TR 具备多项先进特性，使其在同类 NAND 闪存产品中脱颖而出。首先，该芯片基于美光成熟的 20nm MLC 技术制造，在保证高存储密度的同时维持了较高的写入寿命和数据保持能力。每个存储单元可存储两个比特信息，相较于 SLC 成本更低，而性能远超传统 TLC 架构。其次，其支持 ONFI 2.1（Open NAND Flash Interface）标准，提供高达 100MB/s 的数据传输速率，并通过源同步时钟机制有效降低信号抖动与传播延迟，提升了接口稳定性与抗干扰能力。
　　该器件支持多种高级操作模式，包括双平面编程/读取、交错操作、缓存编程和随机数据输入输出等功能。双平面操作允许同时对两个独立的存储平面执行编程或擦除指令，使写入效率翻倍；交错操作则可在不同块间交替进行编程任务，进一步提高吞吐量。此外，内置的页缓冲区支持缓存编程技术，使得连续写入多个页面时能显著缩短总编程时间。
　　ECC（错误校正码）支持方面，MT29F32G08AECCBH1 集成了强大的硬件辅助 ECC 引擎接口，推荐外部控制器配合使用至少 4-bit 或更高强度的 ECC 算法以保障数据可靠性。在实际应用中，系统可通过读取状态寄存器获取编程或擦除操作的结果，并利用 Ready/Busy 引脚监控内部操作进度，实现精确的时序控制。
　　安全性方面，该芯片支持软件保护机制，可防止意外写入或擦除操作，部分型号还可选配写保护区域功能。同时，其具备出色的温度适应性，可在工业级温度范围内稳定运行，满足严苛环境下的长期服役需求。所有器件均经过严格筛选与测试，确保出厂无功能性缺陷，并提供详细的坏块映射表供主机系统初始化时调用。

MT29F32G08AECCBH1-10:C TR 广泛应用于需要大容量、高速度和高可靠性的嵌入式存储场景。常见用途包括工业自动化控制系统中的程序与数据存储，如 PLC 控制器、HMI 人机界面设备等，这些系统通常要求非易失性存储器具备长时间断电不丢失数据的能力以及频繁更新日志文件的耐久性。在网络通信领域，该芯片用于路由器、交换机和基站设备中存储固件镜像、配置文件及运行日志，其快速启动特性和高带宽读取能力有助于加快设备加电自检和系统加载过程。
　　在消费类电子产品中，尽管当前主流趋势转向串行 NOR 或 eMMC/UFS 方案，但在某些高端多媒体播放器、数字电视和机顶盒设计中仍会采用此类并行 NAND 作为主存储介质，尤其是当需要直接从 NAND 执行代码（XIP）或进行大规模视频缓存时。此外，该芯片也适用于专用测试仪器、医疗成像设备和车载信息娱乐系统（IVI），在这些应用中，数据完整性和系统响应速度至关重要。
　　由于其支持工业级温度范围和卷带包装，非常适合用于自动化贴片生产线的大批量制造，尤其适合对供应链稳定性和产品生命周期有较高要求的项目。配合专用的 NAND 控制器或 SoC 内建 NAND 接口，可构建完整的嵌入式存储解决方案，满足从边缘计算设备到智能安防摄像头等多种复杂应用场景的需求。

MT29F32G08ABABA:F TR
　　MT29F32G08CBABA:F TR
　　MT29F32G08BBABA:F TR