MT29F1G08ABADAH4-IT:D 是一款由 Micron(美光)生产的 NAND 闪存芯片,主要应用于嵌入式系统、存储卡以及固态存储设备中。这款芯片采用 3.3V 供电设计,支持标准的 NAND Flash 接口协议,具备高可靠性和高性能的特点。其容量为 1Gb (128MB),基于多层单元(MLC)技术制造,能够在有限的空间内提供较大的存储密度。
该芯片适合于需要长时间保存数据的应用场景,例如消费类电子产品、工业设备和汽车电子等。
容量:1Gb (128MB)
接口类型:NAND Flash
工作电压:3.3V
封装形式:TSOP-II 48 引脚
数据位宽:8 位
页大小:2K 字节
块大小:128K 字节
编程时间:最大 600 微秒
擦除时间:最大 2 毫秒
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
工艺制程:90nm
MT29F1G08ABADAH4-IT:D 具备以下显著特点:
1. 高可靠性:使用 MLC 技术,确保数据在长时间内的完整性,并降低单位成本。
2. 快速性能:通过优化读写速度和减少延迟时间,提升整体系统效率。
3. 小型化设计:TSOP-II 封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
4. 广泛的工作温度范围:能够适应多种恶劣环境下的操作需求。
5. 易于集成:符合标准的 NAND Flash 接口协议,便于与现有系统架构无缝连接。
6. 数据保护功能:内置 ECC(错误校正码)引擎,进一步提高数据传输和存储的安全性。
MT29F1G08ABADAH4-IT:D 芯片适用于以下领域:
1. 嵌入式系统:包括但不限于路由器、交换机、网络设备和其他工业控制装置。
2. 存储设备:如 USB 闪存盘、SD 卡以及其他便携式存储介质。
3. 消费电子产品:例如数码相机、媒体播放器和智能电视。
4. 汽车电子:仪表盘存储、信息娱乐系统中的数据记录等功能。
5. 工业自动化:用于保存关键配置文件或历史数据记录。
由于其出色的稳定性和扩展能力,这款芯片成为许多需要高密度存储解决方案的理想选择。
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