MT29E1T08CUCCBH8-6:C 是一款由 Micron(美光)生产的 NAND 闪存芯片,采用 3D TLC 架构设计,具有高密度存储能力和较低的功耗。该芯片主要应用于嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品中,提供大容量数据存储解决方案。
此型号属于美光 MT29E 系列,支持 ONFi(Open NAND Flash Interface)标准协议,具备较高的读写速度和可靠性。
容量:1Tb (128GB)
存储单元类型:TLC (Triple-Level Cell)
接口:ONFi 4.0
电压:2.7V 至 3.6V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA (球栅阵列封装)
引脚数:169
页大小:16KB
块大小:8MB
擦除周期:3000 次
MT29E1T08CUCCBH8-6:C 芯片采用了先进的 3D NAND 技术,相比传统平面 NAND 具有更高的存储密度和更好的性能表现。
其支持的 ONFi 协议确保了与主机控制器之间的高效通信,并且具备 ECC(错误校正码)功能,能够有效提升数据的可靠性和使用寿命。
此外,这款芯片在功耗管理方面表现出色,能够在低功耗模式下运行以延长电池供电设备的工作时间。
它还集成了多种保护机制,如坏块管理、磨损均衡以及掉电保护等,从而保证长时间使用的稳定性和数据完整性。
该芯片适用于各种需要大容量非易失性存储的应用场景,包括但不限于:
1. 嵌入式设备:如路由器、交换机、工控机等;
2. 消费类电子产品:例如平板电脑、智能电视、数码相机等;
3. 数据记录仪和监控系统:用于保存关键数据或视频流;
4. 固态硬盘(SSD):作为主存储介质的一部分;
5. 汽车电子:为导航系统和信息娱乐系统提供存储支持。
MT29F1T08CBADBH6-6:C, MX30UF1TADBBH8-6C