时间：2025/12/27 3:33:51
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MT28F008B3VG-9 B是美光科技（Micron Technology）生产的一款并行接口的NOR型闪存芯片，属于其成熟的MT28F系列。该器件具有8Mbit（即1兆字节）的存储容量，组织方式为512K x 16位，适用于需要高可靠性和快速随机访问性能的应用场景。这款芯片采用的是高性能、低功耗的浮动栅极技术，支持快速读取操作以及高效的扇区擦除和编程功能。它广泛用于工业控制、嵌入式系统、网络设备、打印机、机顶盒以及其他要求代码执行能力与数据持久化存储相结合的场合。MT28F008B3VG-9 B工作电压为5V，兼容TTL电平，适合在较老的或对电压有特定要求的设计中使用。封装形式为48引脚TSOP（Thin Small Outline Package），型号中的'VG'通常指代该封装类型。器件支持商业级或工业级温度范围，具备较高的抗干扰能力和长期数据保持特性，典型数据保持时间可达100年，并支持至少10万次的擦写周期。此外，该芯片集成了多种保护机制，包括软件数据保护模式和硬件写保护引脚（WP#），防止意外写入或擦除操作，从而增强系统的稳定性与安全性。
型号：MT28F008B3VG-9 B
制造商：Micron Technology
存储类型：NOR Flash
存储容量：8 Mbit (1 MB)
组织结构：512K x 16
工作电压：5V ± 10%
访问时间：90ns
接口类型：并行异步
封装类型：48-pin TSOP Type I
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
擦除耐久性：100,000 次/扇区
数据保持时间：100 年
写保护功能：支持硬件（WP#）和软件保护
编程电压：内部电荷泵生成所需高压
待机电流：≤ 200 μA
工作电流：≤ 30 mA
输入/输出电平：TTL 兼容
MT28F008B3VG-9 B具备多项关键特性，使其成为众多嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。
首先，其基于高性能NOR闪存架构，提供快速的随机读取速度，访问时间低至90纳秒，能够直接在芯片上执行代码（XIP, eXecute In Place），无需将程序加载到RAM中运行，这显著提升了系统启动速度和整体响应效率，特别适用于实时控制系统和固件存储应用。
其次，该器件采用512K x 16位的数据组织方式，便于与16位微处理器或微控制器无缝对接，简化了硬件设计和地址/数据总线布局。同时，内置的电荷泵电路可在标准5V电源下完成编程和擦除操作，无需外部高压供电，降低了系统复杂度和成本。
再者，MT28F008B3VG-9 B支持灵活的扇区架构，允许对存储空间进行细粒度管理，用户可以选择单独擦除某个扇区而不影响其他区域的数据，提高了存储利用率和系统维护便利性。配合软件命令集，可实现全片擦除、按扇区擦除、字编程等操作，并可通过软件启用数据保护模式，防止误操作导致的关键数据丢失。
此外，该芯片具备强大的环境适应能力，在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，满足工业级应用需求。其高可靠性体现在长达100年的数据保持能力和超过10万次的擦写寿命上，确保在长期无人维护的设备中仍能可靠运行。EMI抑制设计和TTL电平兼容性进一步增强了信号完整性与系统兼容性。最后，美光为其提供长期供货承诺和技术支持，使该器件成为许多生命周期较长产品的首选存储方案。
MT28F008B3VG-9 B广泛应用于多个需要可靠代码存储和高效执行能力的领域。
在工业自动化领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和工业通信模块中，用于存储操作系统、控制算法和配置参数，其宽温特性和抗干扰能力确保在恶劣工厂环境中稳定运行。
在网络与通信设备中，如路由器、交换机和DSL调制解调器，该芯片用于存放引导程序（Bootloader）和固件，支持快速启动和远程升级功能，提升设备部署与维护效率。
消费类电子产品方面，打印机、复印机和机顶盒也大量采用此类NOR Flash来存储启动代码和用户界面程序，利用其XIP特性加快开机速度并减少对RAM资源的占用。
此外，在医疗设备、测试仪器和航空航天电子系统中，由于对数据完整性和系统可靠性要求极高，MT28F008B3VG-9 B凭借其长期数据保持能力和写保护机制成为值得信赖的选择。
汽车电子中的车身控制模块（BCM）和车载信息娱乐系统早期版本也曾使用类似规格的并行NOR Flash，尽管当前趋势转向SPI接口，但在一些传统平台中仍有应用。总的来说，任何需要从非易失性存储器直接执行代码、并对稳定性有严格要求的嵌入式系统，都是该器件的理想应用场景。
SST39VF800A-90-4C-PHE
AM29LV800DB-90EI
IS28F008BG-90
