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MT28EW128ABA1LPN-0SIT 发布时间 时间:2025/10/22 10:38:23 查看 阅读:14

MT28EW128ABA1LPN-0SIT是一款由Micron Technology(美光科技)生产的128Mbit(兆位)的NOR型闪存芯片,属于其Serial NOR Flash产品线中的高速Quad SPI系列。该器件采用高性能、低功耗设计,适用于需要可靠代码存储和快速执行的应用场景。MT28EW128ABA1LPN-0SIT支持标准SPI和四通道SPI(QSPI)接口模式,能够实现高达104MHz的时钟频率,从而提供高效的连续数据读取性能,适合在嵌入式系统中用于存储启动代码(Boot Code)、固件(Firmware)以及实时操作系统(RTOS)等关键信息。该芯片采用原始硅技术构建,具备高耐久性和数据保持能力,典型擦写寿命可达10万次以上,数据保存时间超过20年。MT28EW128ABA1LPN-0SIT工作电压为2.7V至3.6V,支持宽温范围工业级温度(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下的稳定运行。此外,该器件集成了多种安全和保护功能,包括软件和硬件写保护机制、顶部/底部扇区架构配置、以及支持安全识别的制造商和设备ID读取功能,增强了系统的抗干扰和防篡改能力。

参数

品牌:Micron Technology
  类型:NOR Flash
  容量:128Mbit (16MB)
  接口类型:Serial (SPI/QPI)
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  时钟频率:最高104MHz
  封装形式:8-pin SOIC
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  组织结构:按扇区/块划分
  写保护功能:支持软硬件写保护
  擦除次数:≥100,000次
  数据保持时间:≥20年

特性

MT28EW128ABA1LPN-0SIT具备卓越的读取性能和稳定性,支持多种操作模式以适应不同的系统需求。其核心特性之一是支持多种SPI协议模式,包括标准SPI(Single I/O)、双I/O(Dual I/O)和四I/O(Quad I/O)模式,使得数据传输速率显著提升,在QPI模式下可实现接近416Mbps的理论吞吐率,满足对启动速度要求较高的应用。该芯片内置灵活的扇区架构,允许用户对特定区域进行独立编程或擦除,最小擦除单位为4KB扇区,同时支持整片批量擦除功能,提升了管理灵活性与效率。
  另一个重要特性是其强大的安全性设计。MT28EW128ABA1LPN-0SIT提供多层次写保护机制,可通过状态寄存器设置对部分或全部存储区域进行锁定,防止意外写入或恶意修改。此外,它还支持上电复位检测和电压监控电路,确保在电源不稳定的情况下不会发生错误操作。器件内部集成唯一的制造商ID(Manufacturer ID)和设备ID(Device ID),便于主机系统进行身份验证和兼容性判断。
  该芯片采用低功耗设计,在主动读取模式下电流消耗极低,并提供多种待机和深度掉电模式,可在系统空闲时大幅降低能耗,延长电池供电设备的工作时间。其封装符合RoHS标准,采用8引脚SOIC封装,尺寸紧凑,易于布局布线,适合空间受限的PCB设计。MT28EW128ABA1LPN-0SIT还通过了AEC-Q100等可靠性认证,适用于汽车电子、工业控制、网络通信等高可靠性要求领域。

应用

MT28EW128ABA1LPN-0SIT广泛应用于需要快速启动和高可靠性的嵌入式系统中。典型应用场景包括网络路由器、交换机和基站设备中的固件存储,工业自动化控制器中的程序存储,车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)中的代码引导模块,以及医疗设备、测试仪器和消费类电子产品中的配置数据和操作系统存储。
  由于其支持XIP(eXecute In Place)特性,处理器可以直接从该NOR Flash中执行代码而无需将程序加载到RAM,极大地减少了系统启动延迟并节省了内存资源,因此特别适合用于ARM Cortex-M系列、RISC-V架构以及其他微控制器单元(MCU)的外部程序存储扩展。
  在物联网(IoT)设备中,该芯片可用于存储安全密钥、设备证书和传感器校准数据,结合其写保护功能可有效防止非法访问。此外,在电信基础设施中,MT28EW128ABA1LPN-0SIT常被用作FPGA或ASIC的配置存储器,确保上电后能迅速完成逻辑配置并进入正常工作状态。其工业级温度范围和高抗干扰能力也使其成为户外设备、轨道交通控制系统和能源管理系统中的理想选择。

替代型号

N25Q128A13ESF40F
  IS25LP128
  S25FL128L

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MT28EW128ABA1LPN-0SIT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8,8M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间95 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳56-VFBGA
  • 供应商器件封装56-VFBGA(7x9)