MT28EW128ABA1LJS-0SIT 是一款由 Macronix 公司生产的 NAND 闪存芯片,采用 3D TLC 技术。该芯片具有大容量存储、高速数据传输和低功耗的特点,适合于需要高性能存储的应用场景。其封装形式为 WSON(Wafer-Level Small Outline No-Lead),适用于小型化设计需求的设备。
该型号中的具体参数定义如下:MT 表示 Macronix 品牌,28EW 表示该系列属于 3D NAND TLC 类型,128ABA 表示其容量为 128Gbit(约 16GB),1LJS 表示具体的封装类型及引脚布局,而 -0SIT 则代表特定的测试标准与筛选条件。
容量:128Gbit (16GB)
技术类型:3D TLC NAND
接口:ONFI 4.0
工作电压:Core Voltage 1.8V ± 0.1V, I/O Voltage 1.8V/3.3V
页大小:16KB
块大小:256 pages
擦写寿命:约 1000 次 P/E cycles
数据保留时间:>10 年(在 25°C 下)
封装形式:WSON
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MT28EW128ABA1LJS-0SIT 的主要特性包括高密度存储能力、快速的数据吞吐量以及较低的功耗。它采用了先进的 3D TLC 架构,可以在有限的空间内提供更高的存储容量。此外,通过 ONFI 4.0 接口,能够实现高达 400MB/s 的顺序读取速度和高达 200MB/s 的顺序写入速度。其耐用性经过优化,可满足消费级和工业级应用的需求。
这款芯片还支持多种 ECC(错误校正码)方案以确保数据完整性,并具备智能磨损平衡算法以延长产品寿命。此外,其超薄的 WSON 封装非常适合空间受限的应用环境。
MT28EW128ABA1LJS-0SIT 芯片广泛应用于各种需要大容量存储的电子设备中,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、记忆卡、嵌入式系统和物联网设备等。由于其出色的性能和可靠性,这款芯片也常被用于汽车电子、工业控制、网络通信和其他对存储要求较高的领域。
同时,得益于其紧凑的设计,这款芯片是便携式设备的理想选择,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
MT28EW128ABA1LJN-0SIT
MT28EW128ABA1LJT-0SIT
MX30UF1G8A