制造商：Micron Technology
　　系列：DDR4 SDRAM
　　容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：x8位架构
　　电压：1.2V ±0.06V
　　速度等级：1600MHz（等效于DDR4-3200）
　　数据速率：3200 Mbps
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级，依具体版本而定）
　　封装类型：FBGA，78球（6x8阵列，0.8mm球距）
　　刷新模式：自动/自刷新支持
　　内部Bank数量：8 Bank
　　预取架构：8n预取
　　突发长度：BL8 / BC4 to BL8 on-the-fly可变
　　最小访问时间（tRCD/tRP）：约14ns（依据时序设定）
　　tAA（地址到数据延迟）：≤14ns
　　tRAS（行激活时间）：约35ns
　　tRC（行周期时间）：约50ns
　　CAS 延迟（CL）：CL22, CL20 可配置
　　是否ECC支持：非ECC型号（若有ECC版本则另标）

MT21N470F160具备多项先进技术特性，以确保在复杂应用环境下的高效能与高可靠性。
　　首先，该芯片基于DDR4架构，相较于前代DDR3，在相同电压下实现了更高的数据传输速率，同时通过降低核心电压至1.2V显著减少了功耗，提升了能效比。其x8位组织结构允许灵活的内存模块设计，尤其适用于多通道内存架构中的并行数据处理需求，能够有效提升系统的整体带宽利用率。此外，该器件集成了8个内部Bank，支持交错式Bank操作，从而提高了并发访问效率，减少了等待时间，增强了连续读写性能。
　　其次，MT21N470F160支持多种电源管理模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）、温度补偿自刷新（TCSR）和部分阵列自刷新（PASR），这些功能可根据系统负载动态调整功耗，特别适用于移动计算或绿色节能型服务器系统。其内置的片上终端电阻（ODT, On-Die Termination）可在读写过程中自动启用，改善信号完整性，减少反射和串扰，提升高频工作的稳定性。
　　再者，该芯片遵循JEDEC JESD79-4标准，确保与主流处理器平台和内存控制器的兼容性。它支持Fly-by拓扑布线结构，配合命令、地址与控制信号的去斜校准机制，能够在高速运行时维持精确的时序对齐。此外，器件具备良好的热稳定性，采用导热焊球封装技术，有助于热量从芯片传导至PCB，避免局部过热导致性能下降。
　　最后，MT21N470F160经过严格的质量验证流程，支持高可靠性应用场景。其错误率极低，具备一定的抗辐射能力，并可通过老化筛选满足工业级甚至扩展温度范围使用需求。美光还提供长期供货计划和完整的技术支持文档，便于客户进行产品选型、仿真建模和故障排查。

MT21N470F160主要应用于对内存性能和稳定性有较高要求的中高端电子系统中。
　　在服务器与数据中心领域，该芯片常被用于构建Registered DIMM（RDIMM）或Load-Reduced DIMM（LRDIMM）内存条，支持多插槽、大容量内存配置，满足云计算、虚拟化、大数据分析等高吞吐量应用的数据缓存需求。其高频率和低延迟特性有助于缩短CPU与内存之间的响应时间，提升整体运算效率。
　　在网络通信设备方面，如路由器、交换机和基站控制器，MT21N470F160可用于包缓冲、路由表缓存和实时流媒体处理，保障数据包的快速转发与低抖动传输。其稳定的电气性能和宽温工作能力使其适应严苛的电信级环境。
　　此外，该器件也适用于高性能计算（HPC）平台、工作站和高端桌面电脑，尤其是在视频编辑、3D渲染、科学模拟等内存密集型任务中表现出色。由于其小尺寸FBGA封装，还可用于空间受限但需高内存带宽的嵌入式系统或工业控制主板。
　　值得一提的是，MT21N470F160也被用于一些加固型工控设备和车载信息处理系统，特别是在需要宽温运行和长期稳定性的场合。结合美光的可靠性测试标准，该芯片能够在振动、湿度变化和电磁干扰较强的环境中持续工作，确保关键任务系统的不间断运行。

MT40A512M8TB-32E:J
　　MT40A512M8TG-32E:J
　　MT40A512M8PB-32E:J
　　MT40A512M8PG-32E:J