时间：2025/6/12 14:23:40
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MT21N101K101CT是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其主要应用领域包括电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的场景。
该型号中的具体命名规则表明了其封装类型为TO-252（DPAK），并且在电气特性和工作温度范围上有着较高的要求。此外，MT21N101K101CT的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，从而简化了电路设计并降低了整体功耗。
漏源击穿电压：60V
最大漏电流：10μA（Vgs=0V）
导通电阻：16mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：8nC
输入电容：125pF
最大耗散功率：1.3W（Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用场合。
3. 较低的栅极电荷和输入电容，可减少驱动损耗。
4. 良好的热稳定性，适用于恶劣的工作环境。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间。
6. 支持多种保护功能的电路设计，如过流保护和短路保护。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. 消费类电子产品的电源管理模块。
5. 工业自动化系统中的信号隔离与驱动。
6. 电机驱动和逆变器应用。
7. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
IRLZ44N, FDN340P, AO3400
