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MT21B104K101CT 发布时间 时间:2025/6/27 10:32:35 查看 阅读:9

MT21B104K101CT 是一款高性能的 SDRAM 存储芯片,采用先进的制造工艺和设计技术,广泛应用于嵌入式系统、网络设备和其他需要高数据传输速率的场景。该芯片具有低功耗和高可靠性的特点,能够在多种工作环境下稳定运行。
  MT21B104K101CT 提供了快速的数据访问能力,支持同步动态存储功能,是现代电子设备中不可或缺的关键元件之一。

参数

容量:512Mb
  位宽:8位
  工作电压:2.5V
  接口类型:SDRAM
  封装形式:TSOP-II
  数据传输速率:100MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

MT21B104K101CT 具备以下显著特性:
  1. 高速数据传输能力:支持高达100MHz的工作频率,能够满足现代高速应用的需求。
  2. 节能设计:通过优化电路结构和低功耗模式,大幅降低芯片的能源消耗。
  3. 稳定性强:采用先进的制造工艺和严格的质量控制流程,确保在各种复杂环境下的稳定性。
  4. 小型化封装:TSOP-II 封装形式使得该芯片可以集成到空间有限的设备中。
  5. 广泛的应用领域:适用于网络通信设备、工业自动化、消费类电子产品等多种场景。

应用

MT21B104K101CT 主要应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:为微控制器或处理器提供高效的外部存储扩展。
  2. 网络设备:如路由器、交换机等,用于缓存和处理大规模数据流。
  3. 工业控制:在工业自动化设备中用作临时存储媒介。
  4. 消费电子:例如数码相机、游戏机等需要高效存储性能的设备。
  5. 数据通信:在网络通信基础设施中提供数据缓冲和处理功能。

替代型号

MT48LC16M16A2P-75IT, IS42S16100F-7TLI

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MT21B104K101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.08631卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.1 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-