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MT18N820J500CT 发布时间 时间:2025/12/24 9:48:38 查看 阅读:10

MT18N820J500CT 是一款由 Micron Technology 生产的 DDR3L SDRAM 芯片,主要用于低功耗应用场合。DDR3L(Low Voltage)技术采用 1.35V 工作电压,相比传统的 DDR3(1.5V)具有更低的功耗和更高的能效比。该芯片常用于笔记本电脑、平板设备、嵌入式系统以及其他对能耗敏感的应用中。
  这款芯片属于 MT18 系列,支持高速数据传输,并具备高容量和高性能的特点,能够满足现代计算平台的需求。

参数

类型:DDR3L SDRAM
  容量:8Gb (1Gb x 8)
  工作电压:1.35V
  数据速率:800MT/s (PC3L-6400)
  封装:FBGA 96-ball
  组织结构:8-bank architecture
  接口:24-bit wide data bus
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:1mm
  尺寸:10mm x 12mm

特性

MT18N820J500CT 的主要特性包括:
  1. **低功耗设计**:采用 1.35V 工作电压,降低整体系统的能耗,特别适合移动设备和便携式应用。
  2. **高速性能**:支持 800MT/s 的数据传输速率,确保高效的数据处理能力。
  3. **高密度存储**:单颗芯片提供 8Gb 的存储容量,减少板级空间占用。
  4. **可靠性和稳定性**:经过严格测试,确保在各种环境条件下的稳定运行。
  5. **多用途适用性**:广泛适用于消费电子、工业控制以及网络通信等领域。

应用

MT18N820J500CT 主要应用于以下领域:
  1. **移动设备**:如智能手机和平板电脑等需要低功耗内存解决方案的产品。
  2. **笔记本电脑**:为轻薄型笔记本提供高性能且节能的内存支持。
  3. **嵌入式系统**:包括工业自动化设备、医疗仪器和车载信息娱乐系统等。
  4. **网络设备**:路由器、交换机等网络基础设施中的数据缓冲和存储功能。
  5. **物联网 (IoT)**:支持低功耗和高效率要求的物联网设备。

替代型号

以下是一些可能的替代型号,具体选择需根据实际应用场景和规格要求来决定:
  1. MT18N820J500D:与 MT18N820J500CT 类似,但可能在封装或温度范围上有所不同。
  2. MT18N820J500F:适用于更广泛的工业温度范围。
  3. H5TC8G63AFR-PBA:由 Hynix 生产的兼容 DDR3L 芯片。
  4. K4B2G164QH-DGCF:由 Samsung 提供的类似规格产品。
  5. IS42S16800J-75TLI:ISSI 公司推出的另一款可选方案。
  注意:在更换或选择替代型号时,请仔细核对电气参数、物理尺寸及兼容性以确保正常使用。

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