时间：2025/6/4 8:52:37
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MT18N2R7C500CT 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），属于 N 沟道增强型器件。该芯片主要应用于电源管理、电机驱动和高频开关电路中，能够提供高效的电流控制和快速的开关性能。
该型号由知名半导体制造商生产，适用于高电压和大电流环境下的功率转换场景。其卓越的导通电阻和低栅极电荷特性使其成为许多工业及消费电子应用的理想选择。
类型：N沟道 MOSFET
额定电压：500V
额定电流：14A
导通电阻：0.16Ω
栅极电荷：35nC
总电容：350pF
最大功耗：19W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MT18N2R7C500CT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：额定电压高达 500V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：在大电流条件下具备较低的导通损耗，从而提高效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输出电容，有助于实现更快的开关速度。
4. 良好的热稳定性：即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
5. 小封装设计：便于集成到紧凑型电路板中。
6. 高可靠性：经过严格的测试和验证，确保在各种恶劣条件下的可靠运行。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- DC-DC 转换器
- AC-DC 适配器
2. 电机驱动：
- 无刷直流电机 (BLDC)
- 步进电机控制器
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- UPS 不间断电源
4. 工业设备：
- 可编程逻辑控制器 (PLC)
- 工业自动化系统
5. 消费电子产品：
- 笔记本电脑充电器
- 游戏机电源模块
MT18N2R7C500FT, IRF540N, FQP17N50
