时间：2025/6/6 12:56:40
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MT18N101K101CT是一款高性能的DDR3L SDRAM内存芯片，主要用于移动设备、嵌入式系统以及其他对低功耗和高带宽有要求的应用场景。该芯片由Micron Technology（美光科技）生产，采用先进的制造工艺，具备低功耗和高可靠性的特点。
DDR3L是DDR3的低电压版本，工作电压为1.35V，相比标准DDR3的1.5V能够显著降低功耗，非常适合电池供电的便携式设备。此芯片具有出色的性能和容量，支持快速的数据传输速率。
容量：1Gb（128Mb x 8）
接口类型：DDR3L
工作电压：1.35V
数据速率：800Mbps~1600Mbps
封装形式：FBGA 78-ball
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
I/O标准：SSTL-15
引脚配置：78-ball FBGA
1. 低工作电压1.35V，有效降低功耗。
2. 支持高达1600Mbps的数据传输速率，满足高速数据处理需求。
3. 具备On-Die Termination（ODT）功能，优化信号完整性。
4. 内置温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh，TCSR），在不同温度下保持数据稳定性。
5. 支持Partial Array Self-Refresh（PASR）模式，进一步降低待机功耗。
6. 高可靠性设计，适用于严苛环境下的应用。
7. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
MT18N101K101CT广泛应用于各类需要高效能和低功耗存储的领域：
1. 智能手机和平板电脑等移动设备。
2. 嵌入式系统，如工业控制、医疗设备、网络通信设备。
3. 可穿戴设备和其他便携式电子产品。
4. 数字电视、机顶盒及其他消费类电子产品。
5. 物联网（IoT）设备及边缘计算平台。
MT18N101K101BT, MT18N101K101D
