时间：2025/6/3 20:24:21
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MT18N100J101CT 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高效开关性能的电路中。该型号采用 TO-263 封装，适用于高电流和高电压场景。它具有较低的导通电阻和良好的开关特性，能够有效减少功耗并提升系统效率。
这款 MOSFET 常用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。其出色的热特性和可靠性使其成为许多工业及消费电子设备的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：10A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：27nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263
MT18N100J101CT 的主要特点是低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体效率。此外，该器件具备快速开关能力，可以满足高频应用的需求。
它的高击穿电压和大电流承载能力也使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。
同时，该 MOSFET 提供了优秀的热稳定性，通过优化的封装设计，确保在长时间运行时仍能维持较低的结温。
由于其卓越的电气性能和机械坚固性，MT18N100J101CT 成为多种功率转换和控制应用中的核心元件。
MT18N100J101CT 可用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关
2. DC-DC 转换器中的同步整流
3. 电机驱动电路中的功率级
4. 电池保护系统中的负载开关
5. 工业自动化设备中的功率控制
6. 消费类电子产品中的高效电源管理解决方案
MT18N100J102CT, IRFZ44N, FDP18N10B
