品牌：Micron
　　类型：DDR4 RDIMM
　　容量：32GB
　　速度等级：DDR4-3200 (PC4-25600)
　　数据传输率：3200 MT/s
　　引脚数：288-pin
　　工作电压：1.2V ± 0.06V
　　错误校正：支持ECC
　　寄存器类型：Registered (Buffered)
　　CAS延迟 (CL)：22
　　tRCD：22
　　tRP：22
　　tRAS：42ns
　　时序参数：CL22-22-22
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C
　　是否支持XMP：否
　　是否支持ECC：是
　　是否为缓冲型：是
　　模块结构：x72（含8位ECC）
　　Bank数量：16 Bank（4组x4）
　　Rank配置：双Rank (2R)
　　是否含散热片：视具体版本而定
　　符合RoHS：是
　　SPD支持：I2C接口，支持标准SPD读取
　　集成温度传感器：支持

MT18HTF25672FDZ-80EH1D6 内存模块在设计上充分考虑了企业级应用对性能、可靠性与能效的综合需求。其核心基于Micron先进的20nm级DRAM工艺技术，使得每个存储单元具有更高的集成度和更低的漏电流，从而在保证32GB大容量的同时实现更低的功耗和更优的热管理表现。该模块采用Registered（寄存式）架构，在地址/命令信号路径中引入寄存器缓冲，有效减轻内存控制器的电气负载，提升信号完整性和系统稳定性，特别适合多DIMM插槽并行工作的服务器平台。其双Rank（2R）配置允许内存控制器交替访问不同Rank，提高并发访问效率，优化整体内存带宽利用率。
　　该器件支持完整的ECC（Error Correcting Code）功能，能够在数据读写过程中实时检测单比特错误并自动纠正，同时可检测双比特错误，极大增强了系统在长时间运行中的数据可靠性，防止因软错误引发的系统崩溃或数据损坏，这对金融交易、数据库服务、虚拟化环境等关键任务场景至关重要。此外，模块内置SPD（Serial Presence Detect）芯片，存储了详细的时序、电压、制造商信息等参数，主板BIOS可自动读取并配置最优工作模式，简化部署流程。
　　MT18HTF25672FDZ-80EH1D6 工作电压为标准的1.2V，相比传统1.5V DDR3内存显著降低功耗，符合现代绿色数据中心的能效标准。其严格的时序控制（CL22-22-22 @ 3200MT/s）经过Micron全面验证，确保在高负载下仍保持稳定运行。模块还集成了温度传感功能，支持Thermal Sensor Output（TSO）或热敏二极管接口，便于系统进行动态热监控与风扇调速或降频保护。所有元器件均通过AEC-Q100级别筛选流程，具备优异的抗老化、抗干扰和耐高温能力，保障7x24小时不间断运行需求。

MT18HTF25672FDZ-80EH1D6 主要面向高性能服务器和企业级计算平台，广泛应用于需要高带宽、大容量和高可靠性的场景。典型使用领域包括大型数据中心中的机架式服务器、刀片服务器和塔式服务器，尤其适用于运行虚拟化平台（如VMware、Hyper-V）、云计算基础设施（IaaS/PaaS）、大规模数据库系统（如Oracle、SQL Server、MongoDB）以及内存密集型应用（如SAP HANA）。由于其支持ECC和Registered架构，该内存模块能够有效支撑多CPU、多通道内存架构下的稳定运行，避免因信号反射或负载过大导致的系统不稳定问题。
　　在高性能计算（HPC）集群中，该模块可用于节点内存扩展，提升科学计算、AI训练、气象模拟等任务的数据处理能力。此外，它也适用于高端工作站，用于视频渲染、3D建模、工程仿真等专业创作场景。电信与网络设备厂商也将此类内存用于路由器、交换机控制平面或NFV（网络功能虚拟化）服务器中，确保控制面数据处理的高可用性。得益于其严格的品质管控和长期供货承诺，MT18HTF25672FDZ-80EH1D6 常被OEM厂商（如Dell、HPE、Lenovo、Cisco）选为原厂服务器认证内存组件，确保整机系统的兼容性与稳定性。

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　　HMAA8GR7AJR4N-XN
　　CT32G3200.C16FD8ENS
　　SK Hynix HMA84GR7CJR4N-UH
　　Samsung M393A4K40CB2-CVF