MT18B332K500CT 是一种高速、低功耗的 SRAM(静态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高性能数据存储和访问的场景。它采用了先进的 CMOS 工艺制造,具有高可靠性和稳定性。这款 SRAM 提供了 32K x 16 的存储容量,总存储空间为 512Kb,并支持快速读写操作。
存储容量:512Kb
组织形式:32K x 16
工作电压(Vcc):2.7V 至 3.6V
待机电流:10μA(典型值)
工作电流:40mA(典型值)
访问时间:10ns(最大值)
数据保持时间:无限
封装形式:TQFP-44
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MT18B332K500CT 具有以下显著特点:
1. 高速性能:支持 10ns 的快速访问时间,确保在高频应用中的高效运行。
2. 低功耗设计:优化的 CMOS 工艺使其具备较低的工作电流和待机电流,适合对功耗敏感的应用。
3. 可靠性高:该芯片能够在广泛的温度范围内稳定运行,并且数据保持时间无限,确保数据完整性。
4. 易于集成:采用 TQFP-44 封装形式,引脚布局合理,便于 PCB 设计与焊接。
5. 简单的接口:无需刷新操作,使用方便,减少了系统设计复杂度。
由于其高性能和低功耗的特点,MT18B332K500CT 被广泛应用于多种领域:
1. 工业控制:用于实时数据采集和处理系统。
2. 通信设备:适用于路由器、交换机等网络设备中的缓存存储。
3. 医疗仪器:为超声波设备、监护仪等提供临时数据存储。
4. 消费电子:用作数码相机、打印机等设备中的高速缓存。
5. 嵌入式系统:为微控制器或 DSP 提供高效的外部存储扩展。
MT18B332K500BT, IS61LV25616AL-10BLL, AS6C1008-55PCN