时间：2025/5/30 17:22:02
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MT18B103K101CT是一款动态随机存取存储器（DRAM），属于三星电子的MT系列。该芯片主要用于需要高容量和快速数据访问的应用场景，如计算机系统、网络设备和其他高性能电子设备。
该型号采用了先进的制程技术制造，具备低功耗和高稳定性的特点，能够满足现代电子设备对性能和能效的需求。
容量：1Gb
组织方式：128M x 8
电压：1.35V/1.5V
接口类型：DDR3
速度：1600Mbps
封装形式：BGA
工作温度：-40°C to +85°C
引脚数：96
MT18B103K101CT采用DDR3标准接口，提供高达1600Mbps的数据传输速率，确保了高效的数据交换能力。
该芯片支持自动刷新和自定时刷新功能，降低了系统设计复杂度。
内置的On-Die Termination（ODT）技术可以优化信号完整性并减少电磁干扰。
其低功耗特性和宽泛的工作温度范围使其适用于多种环境条件下的应用需求。
此外，该芯片还具有较高的抗噪声能力和可靠性，确保在长时间运行中的稳定性。
MT18B103K101CT广泛应用于个人电脑、服务器、路由器、交换机以及其他需要大容量高速存储的电子产品中。
它特别适合用于图形处理、虚拟化技术和大数据处理等高性能计算领域。
由于其低功耗特性，该芯片也适用于移动设备和便携式电子产品中的内存解决方案。
此外，它还可以用作缓存存储器以提高系统整体性能。
MT18B103K101CTA
MT18B103K101C
MT18B1G32DZ-1G6:A
H5TC1G63AFR-PBA
