时间：2025/6/17 12:04:12
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MT15N8R2C500CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于高功率开关电路中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理等场景。其设计目的是提供低导通电阻和快速开关特性，从而减少功率损耗并提高系统效率。
该型号的命名规则包含关键参数信息：MOSFET 类型（N 沟道）、额定电压、电流及封装形式等。具体而言，这款 MOSFET 额定耐压为 500V，持续漏极电流为 8A，采用了 TO-247 封装。
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A
脉冲漏极电流(Ip)：32A
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω
栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：1890pF
输出电容(Coss)：120pF
反向传输电容(Crss)：30pF
功耗(PD)：180W
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
MT15N8R2C500CT 具备以下显著特性：
1. 高击穿电压 (500V)，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (0.35Ω)，在大电流下减少功耗损失。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷 (75nC)，适合高频应用。
4. 强大的过流能力 (脉冲电流可达 32A)，增强了器件的鲁棒性。
5. 工作温度范围宽 (-55°C 至 +175°C)，适应极端环境条件。
6. 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，便于集成到复杂系统中。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多种电力电子设备，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，用于高效能量转换。
2. 电机驱动控制，特别是在工业自动化和家用电器中的无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 太阳能逆变器，用作功率级开关以实现光伏能源的最大化利用。
4. 不间断电源 (UPS) 系统，确保电力供应的稳定性和可靠性。
5. 各类负载切换和保护电路，例如电池管理系统 (BMS) 中的高边或低边开关。
6. 高频谐振电路，适用于感应加热和无线充电等新兴技术。
MT16N8R2C500CT, IRFP460N, STP8NK50Z
