时间：2025/6/21 18:51:49
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MT15N8R2B500CT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率功率转换和开关应用。这款器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻和优异的开关性能，适合于工业、汽车和消费类电子领域中的电源管理解决方案。
该 MOSFET 以其强大的电流处理能力和耐压特性著称，广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及负载开关等电路中。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：80nC
总耗散功率：250W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
MT15N8R2B500CT 的主要特点是其具备高击穿电压（500V）和较低的导通电阻（8mΩ），这使得它在高压环境下依然能保持高效的能量转换。同时，其封装形式 TO-247 提供了良好的散热性能，非常适合大功率应用场景。
此外，这款 MOSFET 具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，从而提升整体系统效率。其高工作温度范围（-55℃ 至 +175℃）也保证了它能够在极端环境条件下可靠运行。
由于其卓越的电气特性和热稳定性，这款产品在设计高性能电力电子设备时非常受欢迎。
MT15N8R2B500CT 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景，包括但不限于以下领域：
- 工业用开关电源 (SMPS)
- 太阳能逆变器
- 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机驱动
- 高压 DC-DC 转换器
- 家用电器中的负载开关
- 不间断电源 (UPS) 系统
它的高电压耐受能力与较大的电流承载能力使其成为这些领域的理想选择。
MT16N8R3B600CT, IRFP260N, STP16NF50
