MT15N8R0C500CT 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点,适用于多种功率转换场景。
最大漏源电压:50V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:8A
导通电阻:4.5mΩ(典型值)
栅极电荷:27nC(典型值)
反向恢复时间:36ns(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 150℃
MT15N8R0C500CT 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用。
3. 高雪崩耐量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 小型封装设计,节省电路板空间。
5. 宽工作温度范围,适应各种环境条件。
该 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 各种 DC-DC 转换器设计。
5. 电池保护电路。
MT15N8R0C500CTA, MT15N8R0C500CTB