时间：2025/6/3 16:50:02
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MT15N8R0C500CT 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点，适用于多种功率转换场景。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：27nC（典型值）
反向恢复时间：36ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
MT15N8R0C500CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 高雪崩耐量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 小型封装设计，节省电路板空间。
5. 宽工作温度范围，适应各种环境条件。
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 各种 DC-DC 转换器设计。
5. 电池保护电路。
MT15N8R0C500CTA, MT15N8R0C500CTB
