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MT15N8R0C500CT 发布时间 时间:2025/6/3 16:50:02 查看 阅读:3

MT15N8R0C500CT 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点,适用于多种功率转换场景。

参数

最大漏源电压:50V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:27nC(典型值)
  反向恢复时间:36ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃

特性

MT15N8R0C500CT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 高雪崩耐量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 小型封装设计,节省电路板空间。
  5. 宽工作温度范围,适应各种环境条件。

应用

该 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 各种 DC-DC 转换器设计。
  5. 电池保护电路。

替代型号

MT15N8R0C500CTA, MT15N8R0C500CTB

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