时间：2025/7/5 2:46:48
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MT15N820J500CT 是一款基于硅材料的高压功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高性能的应用场景设计。该器件采用 N 沟道增强型技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能。其封装形式为 TO-247，能够有效散热并适应工业级应用环境。
这款芯片适用于需要高效功率转换的场景，例如开关电源、逆变器、电机驱动等。由于其出色的电气特性和可靠性，MT15N820J500CT 广泛用于工业、汽车及消费电子领域。
型号：MT15N820J500CT
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：820V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：0.5Ω
ID（连续漏极电流）：15A
Qg（栅极电荷）：60nC
fT（特征频率）：3.5MHz
功耗：30W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-247
MT15N820J500CT 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，VDS 额定值高达 820V，适用于高压应用场景。
2. 较低的导通电阻 RDS(on)，在高电流负载下减少功率损耗。
3. 优秀的开关速度，通过较低的栅极电荷 Qg 提高系统效率。
4. 宽工作温度范围，能够在极端条件下保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 高可靠性设计，适合长时间连续工作环境。
这些特性使得 MT15N820J500CT 成为高压功率转换的理想选择。
MT15N820J500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 太阳能逆变器中的功率管理模块。
3. 电机驱动控制电路，尤其是工业马达和伺服系统。
4. 电动车充电设备中的功率转换组件。
5. PFC（功率因数校正）电路以提升能源使用效率。
6. 各类工业自动化设备中涉及高电压切换的场合。
该器件凭借其卓越性能成为许多高功率密度应用的核心元件。
MT15N820J400CT, IRFP460, STP15N80Z
