时间：2025/6/11 20:34:55
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MT15N6R8B500CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制程工艺，具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用领域。此型号中的数字与字母组合代表了具体的参数规格，例如耐压值、电流等级等。
类型：增强型MOSFET
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压（Vds）：650V
最大连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.3V~4.0V
输入电容（Ciss）：1200pF
输出电容（Coss）：130pF
反向传输电容（Crss）：28pF
最大功耗：250W
工作温度范围：-55℃至+150℃
MT15N6R8B500CT采用氮化镓半导体材料制造，相比传统硅基器件，其具有更低的寄生电感和更小的封装尺寸。此外，这款器件还具备以下特点：
- 极高的开关频率，支持MHz级别的运行
- 低导通电阻，减少传导损耗
- 热性能优越，能够在高温环境下稳定工作
- 内置保护功能，防止过流和过热损坏
- 良好的动态性能，适合复杂拓扑结构
- 小型化设计，有助于缩小整体电路板面积
该型号广泛应用于各种需要高效能量转换和快速开关响应的场景中，具体包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）设计
- 工业级DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电设备
- 高频谐振转换器
- 智能家电中的电源管理单元
- 数据中心服务器供电模块
MT15N6R8B550CT, MT15N6R8B600CT
