MT15N6R0C500CT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 器件,广泛应用于高频开关和高效率功率转换场景。这款器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能等优势,使其成为新能源汽车、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及其他高性能电力电子应用的理想选择。
MT15N6R0C500CT 的主要特点是采用了先进的 SiC 材料技术,相比传统硅基 MOSFET,它在高温、高压环境下表现更加优异,并且能够显著降低系统能耗。
额定电压:650V
额定电流:15A
导通电阻:3.8mΩ
栅极电荷:20nC
开关频率:高达 1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3
1. 碳化硅材料带来了卓越的电气和热性能,确保了高效率和高可靠性。
2. 极低的导通电阻有效减少了传导损耗,从而提升整体系统效率。
3. 快速的开关速度和低栅极电荷使得动态损耗大幅降低。
4. 能够在极高频率下运行,简化了磁性元件设计并降低了系统体积与成本。
5. 广泛的工作温度范围使该器件适应多种极端环境条件下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
1. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)和 DC-DC 转换器。
2. 光伏逆变器的核心功率转换模块。
3. 不间断电源(UPS)系统的高频功率开关。
4. 工业电机驱动和伺服控制器。
5. 高效 AC-DC 和 DC-DC 开关电源设计。
6. 适用于需要高效能和小型化的各类电力电子设备。
C2M0016120D
FFSH1565S
STPSC15H065DF2