时间：2025/7/1 16:30:24
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MT15N5R0B500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由 MACOM 公司设计制造。该器件具有高频率、高效率和高功率密度的特点，适用于射频功率放大器、通信系统以及雷达等高性能应用领域。
该芯片采用先进的 GaN 工艺技术，能够在高频段提供卓越的性能表现，同时保持较低的热耗散。由于其出色的电气特性，MT15N5R0B500CT 在现代无线通信基础设施中得到了广泛应用。
最大漏源电压：75V
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
漏极饱和电流：-4A
输出功率：50W
工作频率范围：DC~5GHz
导通电阻：120mΩ
封装形式：无铅陶瓷法兰封装
MT15N5R0B500CT 的主要特性包括：
1. 高输出功率：能够实现高达 50W 的射频输出功率，适合需要大功率传输的应用场景。
2. 宽带操作能力：支持从直流到 5GHz 的宽频率范围，使其在多种通信标准下都能表现出色。
3. 高增益：具备较高的线性增益，从而减少对多级放大器的需求，简化了电路设计。
4. 高效率：得益于 GaN 技术的低导通电阻和高击穿电压特性，能够以更少的功耗提供更高的输出功率。
5. 热管理优化：通过优化的封装结构和材料选择，提升了器件的散热性能，延长了使用寿命。
6. 小型化设计：相比传统硅基功率晶体管，该器件体积更小，有助于降低整体系统的尺寸和重量。
MT15N5R0B500CT 广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基站：如 4G LTE 和 5G 基站中的射频功率放大器模块。
2. 微波点对点通信系统：为远距离数据传输提供稳定的高功率信号。
3. 军用雷达系统：用于气象雷达、空中交通管制雷达以及其他高性能雷达设备。
4. 航空航天与卫星通信：在航空航天领域中作为关键组件，提升通信链路的可靠性和效率。
5. 测试与测量设备：为实验室测试仪器提供精确且可重复的高功率射频信号源。
MT15N5R0B300CT
MT15N5R0B800CT
