时间：2025/11/6 4:46:24
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MT15N560J500CT是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能功率MOSFET器件，属于OptiMOS?系列中的一员。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛应用于电源转换系统，如DC-DC变换器、服务器电源、电信电源以及工业电源等场景。MT15N560J500CT采用先进的沟槽栅极技术，结合优化的芯片结构，实现了极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能。其额定电压为560V，最大连续漏极电流可达15A，在高温环境下仍能保持稳定的电气特性，适用于对热管理和能效要求较高的场合。该器件封装形式为TO-220或类似的通孔插装封装，具备良好的散热能力，便于在传统PCB布局中使用。此外，MT15N560J500CT还具备出色的抗雪崩能力和稳健的栅极氧化层设计，提升了系统在瞬态过压和过流条件下的可靠性。作为一款增强型N沟道MOSFET，它在关断状态下具有极低的漏电流，有助于降低待机功耗。整体而言，MT15N560J500CT凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，成为现代高效能电源系统中的关键元件之一。
型号：MT15N560J500CT
制造商：Infineon Technologies
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：560 V
栅源电压VGS：±30 V
连续漏极电流ID（@25°C）：15 A
脉冲漏极电流IDM：60 A
导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：500 mΩ
导通电阻RDS(on)（typ @ VGS=10V）：430 mΩ
阈值电压VGS(th)：3.0 V ~ 4.5 V
输入电容Ciss：1150 pF
输出电容Coss：280 pF
反向传输电容Crss：40 pF
总栅极电荷Qg（@10V）：45 nC
上升时间tr：50 ns
下降时间tf：25 ns
工作结温范围Tj：-55 °C ~ +150 °C
存储温度范围Tstg：-55 °C ~ +150 °C
封装类型：TO-220
MT15N560J500CT具备多项先进特性，使其在高电压功率转换应用中表现出色。首先，其560V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下的安全运行，适用于PFC电路和LLC谐振转换器等拓扑结构。该器件采用了英飞凌独有的OptiMOS?沟道技术，通过优化载流子迁移路径和降低晶格散射效应，显著减小了单位面积的导通电阻，从而降低了导通损耗。实测数据显示，在VGS=10V条件下，RDS(on)最大值仅为500mΩ，典型值低至430mΩ，这使得即使在大电流负载下也能有效控制发热，提高整体系统效率。
其次，MT15N560J500CT具有优异的开关特性。其输入电容Ciss为1150pF，输出电容Coss为280pF，反向传输电容Crss仅为40pF，这些参数保证了快速的开关响应速度和较低的驱动功率需求。配合45nC的总栅极电荷Qg，可在高频开关应用中实现更低的动态损耗，支持数百kHz级别的PWM调制频率。此外，该器件具备良好的体二极管反向恢复特性，减少了开关过程中的反向恢复电荷Qrr，进一步抑制了电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的稳定性。
热管理方面，MT15N560J500CT采用TO-220封装，具有较大的铜片接触面积，能够有效地将热量传导至散热器或PCB上，延长器件寿命。其工作结温可达+150°C，并支持宽泛的温度工作范围，适合在严苛工业环境中长期运行。同时，该器件通过了AEC-Q101认证，具备高抗湿性、抗机械应力和抗热循环能力，增强了在复杂工况下的可靠性。最后，其栅氧层经过强化处理，可承受±30V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致的栅极击穿问题，提升了系统的鲁棒性。
MT15N560J500CT广泛应用于各类中高功率电源系统中。典型应用场景包括通信电源、服务器PSU、工业开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电模块等。在功率因数校正（PFC）升压级电路中，该器件常被用作主开关管，利用其高耐压和低导通损耗优势，提升AC-DC转换效率。在LLC半桥或全桥谐振变换器中，MT15N560J500CT可用于初级侧同步整流或主开关节点，实现软开关操作以减少开关损耗。此外，由于其具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，也适用于电机驱动控制器中的功率切换环节，尤其是在需要频繁启停或承受瞬时过载的场合。在LED驱动电源领域，该器件可用于恒流调节电路中的高速开关元件，确保输出电流的精确控制。在消费类高端电源适配器中，尤其是大功率笔记本电脑或工作站供电单元中，MT15N560J500CT凭借其紧凑的封装和高效的性能，成为理想的功率开关选择。总之，只要涉及500V以上电压等级且对效率、可靠性和热性能有较高要求的应用，MT15N560J500CT均能提供稳定可靠的解决方案。
IPP50R560CE
