型号：MT15N4R7B500CT
　　制造商：Vishay Siliconix
　　产品系列：TrenchFET?
　　器件类型：n沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：16 A
　　连续漏极电流（ID）@70°C：10.7 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：64 A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：4.7 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：6.2 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0 ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：1220 pF
　　输出电容（Coss）：395 pF
　　反向传输电容（Crss）：90 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：8 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：24 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 °C
　　封装/包装：PowerPAK SO-8 Single N

MT15N4R7B500CT采用Vishay先进的TrenchFET技术，这种技术通过优化沟道结构和掺杂分布，实现了极低的导通电阻与出色的开关速度之间的平衡。其核心优势之一是超低的RDS(on)，在VGS=10V时仅为4.7mΩ，这使得在大电流应用中导通损耗大幅降低，从而提高了电源系统的整体效率。相比传统平面工艺MOSFET，TrenchFET技术能够在相同芯片面积下提供更高的载流子迁移率和更小的导通压降，特别适用于高频开关电源设计。
　　该器件具备优异的热性能，得益于其PowerPAK SO-8封装设计，该封装去除了传统的引线框架，采用铜夹连接（copper clip）技术直接将芯片顶部连接到源极或漏极，显著降低了封装本身的寄生电阻和热阻。这一设计不仅提升了电流承载能力，也增强了散热效率，使器件在持续高负载运行时仍能保持较低的工作温度，延长了使用寿命并提高了系统可靠性。
　　MT15N4R7B500CT还具有良好的动态性能表现，输入电容（Ciss）为1220pF，反向传输电容（Crss）仅90pF，在高频PWM控制下可减少驱动损耗并抑制不必要的振荡现象。其开启延迟时间为8ns，关断延迟时间为24ns，展现出快速的开关响应能力，有助于提升DC-DC变换器的开关频率上限，进而减小外围电感和电容的尺寸，实现更高功率密度的设计目标。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，并通过严格的生产测试确保每颗器件都满足高质量标准。内置的齐纳二极管保护结构可防止栅极过压损坏，增强了在实际应用中的鲁棒性。综合来看，MT15N4R7B500CT是一款高性能、高可靠性的n沟道MOSFET，适用于对效率、体积和热管理有严格要求的现代电力电子系统。

MT15N4R7B500CT主要应用于各类中等电压、大电流的开关电源系统中。它常被用作同步整流器中的主开关器件，特别是在降压型（Buck）DC-DC转换器中，作为低边或高边开关以实现高效的能量转换。这类应用常见于笔记本电脑主板、图形处理器供电模块（GPU VRM）、服务器电源单元以及通信基站的中间总线转换器等场景。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件能够有效减少功率损耗，提升整体能效，符合现代电子产品对节能环保的需求。
　　在电池管理系统（BMS）和便携式设备中，MT15N4R7B500CT可用于负载开关或电源路径管理电路，实现对不同功能模块的上电/断电控制。其快速开关特性和低静态功耗使其非常适合用于需要频繁启停的应用，如移动设备中的显示屏背光驱动、无线模块供电切换等。同时，该器件也可用于电机驱动电路中，作为H桥拓扑的一部分，控制直流电机或步进电机的正反转与调速操作。
　　此外，MT15N4R7B500CT还可用于LED照明驱动、热插拔控制器以及各类工业控制设备中的电源模块。在多相供电架构中，多个此类MOSFET并联使用可以分担电流应力，进一步提高系统的稳定性和冗余能力。其小型化封装也有利于PCB布局优化，节省宝贵的板级空间，特别适合高集成度的紧凑型电子产品设计。

SiS452DN-T1-GE3
　　AOZ5238EQI-01