时间：2025/7/10 15:08:54
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MT15N4R0C500CT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于广泛的工业和消费类电子领域。
该型号中的 MT 表示制造商系列，15 表示最大漏源电压（Vds）为 15V，N 表示 N 沟道，4R0 表示导通电阻约为 4mΩ（典型值），C 表示封装类型为 TO-220，500 表示连续漏极电流能力为 500A（峰值）。
最大漏源电压（Vds）：15V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值，Vgs=10V）
连续漏极电流（Id）：500A
脉冲漏极电流（Id,pulse）：800A
栅极电荷（Qg）：120nC
输入电容（Ciss）：3200pF
总功耗（Ptot）：250W
工作温度范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
MT15N4R0C500CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，适用于大功率应用场合。
3. 快速开关性能，适合高频开关电源和电机驱动等应用。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下依然能保持可靠的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 提供优异的短路保护能力，增强了器件的可靠性。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高效功率转换的场景中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 工业逆变器和变频器
5. 太阳能微逆变器
6. 电动汽车充电模块
7. LED 驱动电路
IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06L
