时间：2025/3/27 14:30:04
阅读：30
MT15N3R0C500CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其出色的电气性能和可靠性使其成为工业、汽车和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：15A
导通电阻：3mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=30ns, toff=15ns
功耗：180W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MT15N3R0C500CT 的主要特性包括低导通电阻 (Rds(on))，这有助于降低传导损耗并提高系统效率。同时，该器件的快速开关能力和低栅极电荷确保了在高频应用中的高效表现。
此外，其封装形式 TO-220 提供了良好的散热性能，并且易于安装在 PCB 上。
这款 MOSFET 还具有强大的雪崩能量承受能力，增强了在异常条件下的鲁棒性。
MT15N3R0C500CT 广泛应用于 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器以及负载开关等领域。由于其高电流承载能力和低导通电阻，它非常适合需要高效功率管理的应用场景。
在电动汽车中，该器件可以用于电池管理系统和牵引逆变器；而在工业领域，它可以用于伺服驱动和不间断电源 (UPS) 系统。
IRF3205
STP15NF03L
AO3400
