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MT15N1R2B160CT 发布时间 时间:2025/6/18 23:15:32 查看 阅读:22

MT15N1R2B160CT 是一款由 Microchip 生产的高性能 N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET 芯片。该器件采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种开关和功率转换应用。其封装形式为 TO-220,能够有效散热并适应苛刻的工作环境。
  该型号的主要特点是优化了导通电阻(Rds(on))与栅极电荷之间的权衡,从而在高频开关应用中表现出色。此外,它还支持高电流负载,并能够在较宽的电压范围内稳定运行。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):160V
  连续漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):2mΩ(典型值,于 Vgs=10V 时)
  栅极电荷(Qg):79nC(最大值)
  总功耗(Ptot):140W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装:TO-220

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高击穿电压(160V),适合高压应用场景。
  3. 快速开关性能,栅极电荷较低,适合高频电路设计。
  4. 强大的电流处理能力(高达 15A),满足高功率需求。
  5. 工作温度范围广(-55°C 至 +175°C),适应恶劣环境条件。
  6. 封装形式为 TO-220,便于安装和散热管理。
  7. 提供出色的热稳定性和可靠性,延长产品使用寿命。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. DC/DC 转换器及逆变器。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
  5. 工业自动化设备中的功率开关。
  6. 照明系统中的 LED 驱动电路。
  7. 汽车电子中的负载切换和保护电路。

替代型号

MT15N1R2B120CT, IRFZ44N, STP15NF06L

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