时间：2025/5/29 10:23:27
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MT15N100F500CT 是一款高压 N 沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于高电压、大功率应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特性，能够满足高效能电力转换需求。
该型号特别适合在电源管理、电机驱动、工业控制以及汽车电子等领域中使用。通过优化栅极电荷和反向恢复性能，该 MOSFET 能够有效降低系统能耗，提升整体效率。
最大漏源电压：1000V
最大连续漏电流：15A
导通电阻（典型值）：0.4Ω
栅极电荷（典型值）：30nC
总电容（输入电容）：1500pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高耐压能力，支持高达 1000V 的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，减少导通损耗并提高效率。
3. 快速开关特性，优化了开关时间和动态性能，降低开关损耗。
4. 具有出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，便于集成到复杂电路中。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动器中的逆变器和斩波器电路。
3. 工业自动化设备中的高频电力转换模块。
4. 新能源领域如太阳能逆变器和储能系统的功率控制部分。
5. 汽车电子中的启动马达控制器和辅助电源管理单元。
STGW15H100D, IRFP260N, FCH07N100B
