时间：2025/5/30 14:40:29
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MT15N0R5C500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高效率和高功率密度应用而设计。该器件采用了先进的封装工艺，能够实现卓越的开关性能和低导通电阻特性。其适用于电源管理、射频放大器及高速开关电路等领域。
这款 GaN 器件在材料特性和结构设计上具有显著优势，能够在高频条件下提供更高效的能量转换，并减少传统硅基 MOSFET 的局限性。
型号：MT15N0R5C500CT
类型：GaN HEMT
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：4.5mΩ
栅极-源极电压：±8V
功耗：300W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MT15N0R5C500CT 具备出色的开关速度和低开关损耗特性，同时保持了较低的导通电阻，从而提高了整体系统效率。
1. 高效开关性能：得益于氮化镓技术，该器件能够在高频下运行并显著降低开关损耗。
2. 紧凑型设计：采用优化的封装形式，适合空间受限的应用场景。
3. 耐高温能力：支持高达 175°C 的结温操作，满足严苛环境下的使用需求。
4. 快速恢复时间：极短的开关延迟时间使得 MT15N0R5C500CT 成为高频应用的理想选择。
这些特点使其成为现代电力电子设备中不可或缺的核心元件之一。
MT15N0R5C500CT 广泛应用于需要高效能和快速响应的领域，例如：
1. 数据中心电源供应单元 (PSU) 和服务器电源适配器。
2. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器和车载充电器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. 工业级电机驱动器和自动化控制系统。
5. 射频功率放大器以及通信基站中的高频信号处理模块。
凭借其优异的性能表现，此款 GaN 晶体管为众多高科技行业提供了可靠的解决方案。
MT15N0R5C400CT, MT15N0R5C600CT
