时间：2025/6/17 13:05:41
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MT15N0R5B500CT 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的制程工艺设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率、高频工作的应用场合。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220，适合表面贴装和插件安装，能够承受较高的电流和电压，并且具备良好的散热性能。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：90ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MT15N0R5B500CT 提供了卓越的电气性能和可靠性，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，在降低功耗的同时提高了系统效率。
2. 快速开关能力，使其非常适合高频应用环境。
3. 高击穿电压（500V），确保在高压条件下的稳定运行。
4. 小巧的 TO-220 封装设计，方便集成到各种电路中。
5. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。
该 MOSFET 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级元件。
3. 逆变器和变频器中的开关器件。
4. 充电器及适配器中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 照明系统的 LED 驱动电路。
MT15N0R5B500FT, IRF540N, FQP18N50
