类型：SiC MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　连续漏极电流（Id）@ 25°C：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ
　　栅极电荷（Qg）：160nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：双面散热（Dual Side Cooling）
　　短路耐受能力：有
　　雪崩能量能力：有

MSN300GS12BW 采用碳化硅（SiC）半导体材料，相比传统的硅基功率 MOSFET 和 IGBT，具备更高的热导率、更宽的带隙以及更高的击穿电场强度。这些特性使其在高温、高电压和高频率环境下仍能保持稳定的工作性能。
　　该器件的低导通电阻（Rds(on)）为 30mΩ，使得在大电流条件下导通损耗大幅降低，有助于提升系统效率并减少散热设计的复杂性。此外，其快速的开关速度显著降低了开关损耗，使得器件能够在更高频率下运行，从而支持更小型化和高功率密度的电源设计。
　　该 MOSFET 具备短路保护能力，可在极端条件下防止器件损坏，提高系统可靠性。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于各种严苛环境，如工业自动化、电动车充电桩和太阳能逆变器等应用。
　　在封装方面，该器件采用双面散热结构，有助于提高热管理效率，降低结温，从而延长器件寿命并提升整体系统的稳定性。

该器件广泛应用于需要高效率、高可靠性和高频工作的电力电子系统中。典型应用包括电动车车载充电器（OBC）、直流快充桩、工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、储能系统以及高密度电源模块。此外，由于其优异的热性能和电气特性，也非常适合用于需要轻量化和紧凑设计的高功率系统中。

Cree/Wolfspeed C3M0030120D, Rohm SCT3045KL, Infineon IMW120R030M1H