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MSN200GS12AW 发布时间 时间:2025/12/28 17:00:47 查看 阅读:18

MSN200GS12AW 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):200A
  短路电流能力:400A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:标准工业封装
  热阻(Rth):0.25°C/W
  栅极电荷(Qg):240nC
  导通压降(VCE_sat):2.1V(典型值)
  短路耐受能力:10μs @ 125°C

特性

MSN200GS12AW 具备出色的电气性能和热管理能力,其主要特性包括高电压和高电流处理能力,适用于各种高功率密度设计。该模块的IGBT技术提供了较低的导通压降和开关损耗,从而提高了系统的整体效率。此外,它具有优异的短路耐受能力,可在极端条件下提供稳定的性能。
  这款模块采用了坚固的封装设计,确保在恶劣环境下仍能保持稳定运行。其封装材料具有优异的绝缘性能和机械强度,能够有效防止外部环境对内部元件的影响。同时,模块内部集成了高效的散热结构,降低了热阻,提高了热传导效率,从而延长了器件的使用寿命。
  此外,MSN200GS12AW 还具备良好的栅极驱动兼容性,支持常见的IGBT驱动电路,简化了系统设计。模块的封装设计符合行业标准,便于安装和替换,降低了维护成本。这些特性使其成为高功率应用中非常可靠的选择。

应用

该IGBT模块广泛应用于工业电机驱动、变频器、逆变器、电源系统、可再生能源系统(如太阳能逆变器和风力发电变流器)、轨道交通设备以及电动汽车充电系统等领域。其高可靠性和优异的电气性能使其特别适用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统。

替代型号

CM200DY-24A, FF200R12KT4, SKM200GB12T4

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