时间：2025/6/14 11:46:12
阅读：4
MSG50T65FQC 是一款基于硅 carbide (SiC) 技术的 MOSFET 芯片，主要应用于高频、高效能功率转换场景。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统的效率并减小整体尺寸。
MSG50T65FQC 的设计使其适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电机驱动以及 DC-DC 转换器等高要求的应用环境。
额定电压：650V
额定电流：50A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复时间：80ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
MSG50T65FQC 使用 SiC 材料制造，具备出色的热性能和电气性能。其低导通电阻降低了传导损耗，而快速的开关特性则减少了开关损耗。
此外，该芯片还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
由于其工作结温可达 175℃，MSG50T65FQC 特别适合高温环境下运行的设备。
该芯片封装形式紧凑，有助于简化 PCB 布局，并且支持表面贴装技术(SMD)，提升了生产自动化水平。
MSG50T65FQC 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 太阳能光伏逆变器中的功率转换模块，用于将直流电转换为交流电。
2. 电动车车载充电机和充电桩的核心功率元件，提供高效的电能转换。
3. 工业电机驱动中的逆变电路，确保平稳且高效的电机控制。
4. 高频 DC-DC 转换器，实现高效率的能量传输。
5. 不间断电源(UPS)系统，保证在紧急情况下电力供应的连续性。
C2M0065100D
FDMQ8204
STPSC50H10
