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MSD7342-472MSB 发布时间 时间:2025/12/27 23:38:10 查看 阅读:21

MSD7342-472MSB 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology 公司旗下)生产的高可靠性、多层陶瓷片式电容器(MLCC),专为高性能和高稳定性应用设计。该器件属于 C0G(NP0)介质类型,具备极佳的温度稳定性和低损耗特性,适用于对电容值稳定性要求极为严格的射频(RF)、定时电路、滤波器以及精密模拟电路中。MSD7342-472MSB 的封装尺寸为 0705(即 1813 公制代码),额定电容为 4700 pF(4.7 nF),公差为 ±20%,额定电压为 100V DC。该电容器采用端接电极为镍/锡镀层,具备良好的可焊性和抗热冲击能力,符合 RoHS 指令要求,并且通过了 MIL-PRF-55681 等军用规格认证,适合在航空航天、国防系统、井下设备及高温工业环境中使用。其设计注重长期可靠性和在极端环境下的性能一致性,是高可靠性电子系统中的关键被动元件之一。

参数

型号:MSD7342-472MSB
  电容值:4700 pF (4.7 nF)
  电容公差:±20%
  额定电压:100 V DC
  介质材料:C0G (NP0)
  温度系数:0 ±30 ppm/°C
  封装尺寸:0705 (1813)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  端接类型:Ni/Sn 镀层
  符合标准:MIL-PRF-55681, RoHS
  绝缘电阻:≥10,000 MΩ 或 RC ≥ 1000 sec(取较小值)
  耐湿性:符合 MIL-STD-202 Method 106
  可焊性:符合 MIL-STD-202 Method 208

特性

MSD7342-472MSB 采用 C0G(NP0)陶瓷介质,这是目前最稳定的电容器介质之一,能够在整个工作温度范围内保持几乎恒定的电容值。其温度系数为 0 ±30 ppm/°C,意味着在 -55°C 到 +125°C 的宽温范围内,电容值的变化极小,非常适合用于振荡器、PLL 环路滤波器、谐振电路和高精度滤波网络中。这种材料还具有极低的介质损耗(典型 DF < 0.1%),显著降低了信号失真和能量损耗,在高频应用场景下表现出色。
  该器件的结构采用多层叠层工艺,提高了单位体积内的电容密度,同时维持了良好的机械强度和热稳定性。其 0705 封装在保持小型化的同时提供了比标准 0603 或 0805 更高的电压耐受能力和功率处理能力,特别适用于空间受限但电气性能要求高的场合。此外,镍/锡端接技术增强了焊接可靠性,避免了因热循环引起的端子开裂或脱焊问题,提升了整体系统的长期稳定性。
  MSD7342-472MSB 经过严格的老化测试、温度循环测试和高压负荷测试,确保在严苛环境下的长期可靠性。它通过了 MIL-PRF-55681 军用规范认证,这意味着其制造过程遵循高标准的质量控制流程,包括 100% 的电气测试、X 射线检查和批次追溯机制。这些特性使其广泛应用于雷达系统、卫星通信模块、飞行控制系统和深井测井仪器等关键任务领域。由于其无压电效应和低噪声特性,也常被用于高保真音频路径和低相位噪声电路中。

应用

MSD7342-472MSB 被广泛应用于需要高稳定性和高可靠性的电子系统中。在航空航天与国防领域,它常见于雷达前端模块、相控阵天线调谐电路、导弹制导系统的时钟电路以及卫星通信设备中的 LC 滤波器。由于其优异的温度稳定性和抗辐射潜力,该器件也用于近地轨道和深空探测任务中的电子单元。
  在工业领域,该电容器适用于高温环境下的传感器信号调理电路、石油天然气钻探设备中的井下电子系统,以及高精度测量仪器如示波器、频谱分析仪的内部参考电路。其低老化率和长期稳定性保证了设备在整个生命周期内无需频繁校准。
  在医疗设备方面,MSD7342-472MSB 可用于植入式设备(如起搏器)的外部监测电路或高端成像系统(如 MRI 和 CT 扫描仪)的射频接收链路中,确保信号完整性不受电容漂移影响。此外,在高端音频设备和测试测量仪器中,该器件用于构建高 Q 值滤波器、积分器和时间延迟电路,以实现精确的信号处理功能。

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