工作频率范围：50 MHz 至 4000 MHz
　　阻抗比：1:1
　　初级直流电流额定值：120 mA
　　初级直流电阻（DCR）：1.6 Ω 典型值
　　次级直流电阻（DCR）：1.6 Ω 典型值
　　插入损耗：典型值为 0.8 dB @ 900 MHz
　　幅度不平衡度：≤ 0.3 dB @ 900 MHz
　　相位不平衡度：≤ 3° @ 900 MHz
　　回波损耗：≥ 15 dB（在50 - 1000 MHz范围内）
　　隔离度：≥ 20 dB @ 900 MHz
　　封装类型：SMT（表面贴装），尺寸约为 3.2 mm × 2.5 mm × 1.7 mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　焊接方式：推荐使用回流焊工艺，符合RoHS标准

MSD1278T-183MLD具备出色的宽带匹配能力，在50 MHz至4000 MHz的宽频率范围内均可维持较低的插入损耗和良好的端口匹配性能，使其适用于多频段或多模式射频前端设计。其1:1的阻抗变换比结构特别适合用于差分信号路径中的平衡-不平衡转换（balun功能），也可用于单端信号的隔离与驱动。该器件内部采用高性能铁氧体磁芯材料与精密绕组结构，确保了在高频下仍能保持较高的磁耦合效率和较低的电磁泄漏。
　　该变压器具有优秀的幅度与相位平衡特性，这对于正交调制解调系统、I/Q信号处理链路以及需要精确相位关系的相控阵系统至关重要。在900 MHz典型工作频率下，幅度不平衡控制在0.3 dB以内，相位偏差不超过3度，有助于减少系统误差矢量幅度（EVM），提升通信质量。此外，其初级和次级绕组均具备较低的直流电阻（约1.6 Ω），允许通过高达120 mA的直流偏置电流，因此可支持有源器件如射频放大器或混频器的偏置供电，实现“DC feed”功能，同时不影响交流信号传输。
　　器件采用小型化表面贴装封装，尺寸仅为3.2 mm × 2.5 mm × 1.7 mm，极大节省了PCB空间，适合现代紧凑型射频模块的设计需求。封装材料具有良好的耐热性和抗湿性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内稳定运行，满足工业级和部分军用级应用的要求。此外，该器件经过严格的可靠性测试，包括温度循环、高温高湿存储和长期负载试验，确保在严苛环境下的长期稳定性。由于其无铅环保设计，符合RoHS指令要求，适用于全球市场的电子产品制造。

MSD1278T-183MLD广泛应用于各类高频模拟与射频电路中，尤其适合作为宽带平衡-不平衡转换器（Balun）使用，常见于无线通信系统的发射与接收链路中。例如，在蜂窝基站、小基站（Small Cell）、Wi-Fi接入点和物联网（IoT）设备中，可用于连接差分输出的射频IC（如收发器或功率放大器）与单端天线或滤波器之间，实现高效的信号转换与阻抗匹配。
　　在测试与测量仪器领域，该器件常被用于构建宽带信号分离网络或作为探头前端的信号调理元件，因其低失真和高保真传输特性，能够准确还原原始信号波形。此外，在雷达和电子战系统中，MSD1278T-183MLD可用于本振（LO）信号分配网络，将本地振荡信号均匀地分配给多个混频器通道，同时保持各通道间良好的幅度与相位一致性，从而提高系统的相干处理能力。
　　该器件还适用于工业射频加热、等离子体生成和医疗射频设备中，作为高频能量传输路径的一部分。由于其支持直流叠加（DC biasing）能力，可以在向后续有源器件提供偏置电压的同时传输射频信号，简化了电源馈入电路设计。另外，在高速数字系统中，该变压器也可用于共模噪声抑制和信号隔离，提升信号完整性。总之，凭借其宽频带、小体积、高可靠性和多功能性，MSD1278T-183MLD成为现代高频电子系统中不可或缺的关键无源元件之一。

MABA-01LN+
　　ADT1-1WT+
　　HMC188ALC5B