晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-223
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：50 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：在2 mA时为110至800（取决于等级）
　　频率响应：250 MHz（典型值）

MSB710QT3晶体管具有优异的高频响应特性，使其适用于射频（RF）和高速开关应用。该晶体管的hFE值范围较宽，适应不同的放大需求，同时在低电流下仍能保持良好的增益性能。SOT-223封装设计不仅节省空间，还具备良好的热管理和机械稳定性，适合在恶劣环境下使用。此外，MSB710QT3的低饱和压降（VCE(sat)）特性有助于减少功耗，提高电路效率。
　　该晶体管的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，确保在极端温度条件下仍能稳定运行。其高击穿电压（VCB和VCEO）特性使其在高压应用中表现出色，提高了电路的安全性和可靠性。MSB710QT3还具备良好的线性度和低噪声特性，特别适合用于前置放大器和音频放大电路。

MSB710QT3常用于音频放大器、射频放大器、开关电路和通用电子设备中的信号处理。其高频特性使其适合用于无线通信设备中的射频放大模块。在数字电路中，它可用作逻辑电平转换和驱动晶体管。此外，MSB710QT3也广泛应用于消费类电子产品、汽车电子系统、工业控制系统和便携式设备中。

BCX70G、2N3904、PN2222A、MPSA18