时间：2025/4/27 17:45:58
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MSB30M是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于中高压场景下的功率转换应用。
MSB30M属于N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装形式，便于散热和安装。其出色的电气性能使其成为许多大功率电路设计中的理想选择。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
栅源电压范围：-15V ~ +20V
导通电阻：2.6Ω
总功耗：160W
结温范围：-55℃ ~ +150℃
1. 极低的导通电阻，有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，降低开关损耗。
3. 内置雪崩击穿保护功能，能够承受一定能量的过载脉冲。
4. 良好的温度稳定性，在宽温范围内保持优异的性能。
5. 封装结构坚固，适合自动化焊接和表面贴装工艺。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流电机驱动
3. 逆变器与变频器
4. 不间断电源（UPS）
5. LED照明驱动电路
6. 工业控制设备
7. 太阳能逆变系统
IRF840, STP30NF10, K1208
