MSASU21GBB7225KTNA01 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。它主要用于需要大容量数据存储的应用场景中,例如固态硬盘 (SSD)、嵌入式设备以及工业级存储解决方案。该型号采用先进的 3D TLC(Triple-Level Cell)技术,提供更高的存储密度和更低的功耗,同时确保可靠性和耐用性。
此芯片支持高速接口,能够实现更快的数据传输速率,满足现代应用对高吞吐量的需求。其设计符合 JEDEC 标准,并具备强大的纠错功能以增强数据完整性。
容量:256GB
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V
数据传输速率:400MB/s
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写寿命:1000 次
I/O接口速度:200MT/s
MSASU21GBB7225KTNA01 使用了 3D TLC 技术,通过堆叠多层存储单元来增加存储密度,同时减少了芯片面积和制造成本。
该芯片内置 ECC(Error Correction Code)引擎,可有效检测并纠正数据错误,提高数据可靠性。
此外,它还支持多种高级功能,如坏块管理、磨损均衡以及低功耗模式,从而优化性能和延长使用寿命。
在安全性方面,这款芯片支持数据加密功能,可以保护敏感信息免受未经授权的访问。
MSASU21GBB7225KTNA01 广泛应用于消费电子、工业控制和企业级存储领域。
在消费电子领域,它可以用于智能手机、平板电脑和数码相机等设备中作为内部存储。
在工业控制领域,这款芯片适合用作监控系统、医疗设备或自动化设备中的数据记录装置。
在企业级存储方面,它可以集成到固态硬盘中,为服务器和数据中心提供快速、可靠的存储解决方案。
MSASU21GABH7225KTNA01
MSASU16GBB7225KTNA01