时间：2025/5/15 14:30:06
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MSASU168BB5225KTNA01是一款高性能的功率MOSFET器件，基于先进的半导体制造工艺设计。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域，能够提供高效的功率转换和出色的热性能。
该型号采用TO-263-3封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够在高频开关条件下保持稳定的工作状态。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷（典型值）：74nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-3
MSASU168BB5225KTNA01具备低导通电阻和高电流处理能力，从而有效降低传导损耗并提高整体系统效率。
其快速开关速度可以减少开关损耗，非常适合高频应用环境。
同时，该器件拥有强大的热性能，能够承受较高结温，确保在极端条件下的可靠性。
此外，其封装设计优化了散热路径，进一步增强了器件的耐用性和稳定性。
该芯片广泛应用于消费电子、工业设备及汽车电子领域。
常见的应用包括但不限于：笔记本电脑适配器、电视电源模块、LED驱动电路、电信设备中的DC-DC转换器以及电动车窗系统的电机驱动控制。
由于其出色的电气性能和热管理能力，也适用于需要高效功率转换和紧凑设计的场景。
MSASU168BB5220KTNA01
IRFZ44N
FDP5500
AON6810
