MSASU105CB5105KFNA01 是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,在导通电阻、开关速度和热性能方面表现出色,能够显著提升系统的效率和可靠性。
其封装形式为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产和组装,同时具备良好的电气隔离和散热特性。
型号:MSASU105CB5105KFNA01
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):58A
导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
输入电容(Ciss):4790pF
总栅极电荷(Qg):128nC
功耗(PD):216W
工作温度范围(Top):-55°C to形式:TO-247-3
MSASU105CB5105KFNA01 具有以下主要特点:
1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,适用于高频应用场合。
3. 良好的热稳定性和高耐受电压能力,确保在恶劣环境下也能可靠运行。
4. 大电流承载能力,支持更高功率的应用需求。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 封装坚固耐用,具有出色的机械强度和电气连接性能。
这些特性使得该器件成为工业控制、汽车电子和通信设备中的理想选择。
这款功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流管。
2. 直流电机驱动电路中的功率开关。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护电路。
4. 工业自动化设备中的电磁阀控制和继电器驱动。
5. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动汽车牵引逆变器中的功率转换模块。
其高效率和可靠性使其特别适合需要长时间稳定运行的环境。
IRFB4110,
STP55NF06,
FDP057N06L,
IXYS IXFN50N06T2